رسوب الکتریکی پوشش سه تایی از اکسیدهای ti و ru و ir بر روی ti خالص

هدف از پژوهش حاضر بررسی امکان ایجاد پوشش اکسیدی سه تایی از اکسیدهای تیتانیوم، روتنیوم و ایریدیوم به روش رسوب الکتریکی بر روی زیر لایه تیتانیومی است، که در این میان بهبود در مورفولوژی و شیمی سطح پوشش اکسیدی سه تایی با تغییر تعداد مراحل پوشش دهی از اهداف اصلی تحقیق حاضر می-باشد. برای این منظور، در این پژوهش از نمک های ticl4، rucl3.xh2o و ircl3.xh2o با درصدهای متفاوت، به همراه پراکسید هیدروژن، الکل متانول و آب مقطر دی یونیزه شده به عنوان مواد تشکیل دهنده الکترولیت در سل الکتروشیمیایی برای یک، دو، چهار و شش مرحله عملیات رسوب دهی الکتریکی استفاده شدند. همچنین عملیات حرارتی پوشش ها در دماهای 300، 450 و 650 درجه سانتی گراد انجام گردید. به علاوه، آند از جنس پلاتین بوده و جریان 20 میلی آمپر به صورت مستقیم برای برقراری جریان الکتریکی استفاده شد. برای بررسی سطح نمونه ها، آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx)، پراش پرتو ایکس (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) به عمل آمد. همچنین رفتار پلاریزاسیون آندی نمونه ها نیز بررسی گردید. نتایج این تحقیق نشان داد که افزایش تعداد مراحل پوشش دهی تغییرات قابل ملاحظه ای در مورفولوژی پوشش ایجاد نموده است. همچنین، پوشش حرارت داده شده در oc450 با ترکیب شیمیایی 25/5/70 tio2/ruo2/iro2= تحت شش مرحله پوشش دهی دارای بالاترین کیفیت و حداقل ولتاژ اضافی آزاد سازی گاز کلر و حداکثر پایداری و استحکام چسبندگی را دارا است. به-علاوه، افزایش مقدار ایریدیوم در الکترولیت باعث افزایش ضخامت و بهبود مورفولوژی پوشش می شود. در این راستا، افزایش ضخامت رسوب با تعداد مراحل پوشش دهی ارتباط مستقیم دارد.